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第877章 意想不到的碳纳米管高效集成方法（第2页）

如果没有意外的话，今天差不多就能完成最后一批的分析工作。

而另一方面，在针对瑶池晶的研究中，徐川已经开始了第一批的材料复刻实验。

材料研究所内的核心实验室中，穿着白大褂，带着手套护目镜全副武装的徐川正在将手中的实验器皿送入了cVd管式炉中。

瑶池晶，也就是从月球背面‘瑶池环形山’的冲击壁上采集的月岩。

这是徐川命名的名字，它在各透射电镜、扫描电子显微镜、拉曼光谱仪等各种科研设备的分析下，已经摸清楚了里面的成分和结构。

这会所做的，就是尝试性的复制。

碳纳米管能够在瑶池晶的衬底上稳定生长，这意味着什么不用多说。

即衬底材料能够用来，至少其中的某一项物质，能够用来当做碳基芯片的基底。

简单的来说，就是类似于硅基芯片的基底硅片一样，可以让晶体管在上面生长和光蚀雕刻，进而形成集成电路。

而碳基芯片，自然也离不开这种基底。

只不过目前来说，相关的研究只仅仅存在部分实验室里面。

这是高难度的研工作，没有那么容易解决的。

包括现在徐川所进行的复刻实验，也只是人工的将瑶池晶上的衬底材料拆解出来，然后利用cVd管式炉进行碳纳米管的气相沉积生长。

至于生长出来的东西，是否初步具备半导体性质，对于目前的研究来说并不是很重要。

天然生成的矿物，在绝大部分的情况下是不如人工冶炼的。

所以这一次的实验，只不过是想按照瑶池晶的原有材料进行一次复刻，看看能否人工做到将碳纳米管完整有序的迭层排列在衬底上。

这才是最重要的。

就在徐川处理着手中的研究之时，实验室的大门被人推开了。

材料研究所的所长赵光贵拿着一迭厚厚的文件快步走了进来。

“徐院士，完整的分子动力学模拟计算数据出来了。”

“稍等一下，我处理完手上的这些碳纳米管。”

听到赵光贵的汇报，徐川头也没回，有条不紊的将手中的材料处理妥当，最终送进了cVd管式炉后，调整好参数后，设备启动开始实验后，他才将手套和护目镜摘了下来。

一旁，赵光贵快的将分子动力学模拟计算数据递了过来，同时简单的开口道。

“从分子动力学模拟的结果来看，瑶池晶中的碳纳米管是在过至少三百度以上的高温、无氧、高压的环境中形成的。”

“而在形成过程中，瑶池晶中的另一种材料，即材料内部的硫化合物可能起到了催化的作用。”

“硫化物？”

闻言，徐川的脸上闪过了一丝惊讶，他推测过多种可能，也推测过瑶池晶中具有起到催化作用的关键材料，但还真没往硫化物上面去想。